電子デバイス用スパッタリング装置

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TEOS/TMSプラズマCVD装置

製品の特徴

  • 電極形成・酸化物薄膜形成用途の複合スパッタリング装置です。
  • 高温加熱(800℃)が可能なシステムにより、複合セラミクス材料のスパッタリングが可能です。
  • プラズマ発光をモニタリング・フィードバックすることにより、ハイレート化が可能です。

オプション

  • PEM(Plasma Emission Controller)
  • 800℃加熱

アプリケーション

  • 電子部品・MEMS等各種デバイスへの薄膜形成

その他

薄膜バリア迅速測定装置

【4元スパッタリング装置】

  • 自転/公転機能
  • φ6inch 1枚
  • 基板加熱~300℃
  • メタル・酸化膜形成
  • 800℃加熱機構(オプション)

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