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成膜装置2/【特注関係】スパッタ・CVD・蒸着装置、デスクトップエッチャー、EL、RTAなど

2周波CVD-DLC成膜装置

2周波の独立印可方式を採用した、平行平板型の2周波PE-CVD装置です。
本装置ではスマートな電極構造と2周波独立印可方式を採用することにより、優れた膜厚分布、再現性を達成しております。またパーティクル低減に配慮した電極ユニットや特殊表面処理、チャンバー加熱機構を採用し、メタルコンタミ防止対策用部材を選定済のため、各種クリーンルーム内への設置も可能な仕様設計となっております。低温成膜時のスループットや、クリーニングサイクル特性にも配慮し、量産時に重要となるハイスループット性とメンテナンス性の両立におきましても配慮した装置構成です。2周波独立印可方式によるCVDプロセスでは、比較的細かな微細構造への絶縁コーティングをも可能とするため、従来型の単一周波PE-CVD方式よりも、さらに低応力かつ、高硬度、高絶縁性を実現したコーティングをご提供しております。

RTA(Rapid Thermal Anneal)装置

基板表面の高速熱酸化・結晶化・アニーリング処理等を可能とする、熱処理装置です。
各種基板の表面酸化促進や、不純物元素の内部拡散を防ぎながらの結晶構造改質など、各種基板の後処理用として、多くの採用実績を持つ装置です。当社RTA装置では、10気圧まで加圧可能な特殊設計を採用することで、熱による酸化プロセス・結晶改質だけでなく、加圧環境による揮発成分の抑制や更なる高濃度酸化プロセス(化学反応性プロセス)を可能とする特許を取得しております。また、当社の得意とするガスパルス制御技術にてカルマン渦を応用し、常に清浄なプロセスガスを基板表面へと均一に供給できるよう、アニール室内のガスフローには多くの工夫を施しております。本装置ラインナップは、後処理用装置としてのスタンドアローン機RTAシステムと、既存装置へのドッキングによる複合機としてのRTAシステムの、2種の形にてご提案させていただきます。本RTA処理による各種試作は随時受け付けておりますので、表面改質や結晶化等のアイディアを検討中のお客様は、当社までお気軽にご相談ください。

デスクトップエッチャー

本装置は、最大でφ300基板を全自動でプラズマエッチング処理するための装置です。Arプラズマ、O2プラズマ、CF4+O2プラズマなど、各種イオンクリーニング、アッシング・エッチング処理を可能とする汎用性に優れた設計ながら、コンパクトなデスクトップ型を採用。ラングミュアプローブ計測評価や熱酸化膜エッチング特性評価にて、RFパワー特性やガス混合比特性のノウハウを蓄積し、これらの各種エッチングデータと、φ300までの当社分布評価データを基に、装置だけではなく、最適なエッチングプロセス条件を併せましてご提案させていただきます。
デスクトップ型のコンパクトかつ汎用性に優れたエッチャーをご検討中のお客様や、各種半導体基板にて簡易的な表面処理をご検討中のお客様は、是非当社までお気軽にご相談ください。

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